■ 삼성전자, 3나노 HPC칩 양산
GAA, 기존보다 성능 23% 향상
채널 두께·면적 조절도 장점으로
2세대 공정 전력 50% 절감 기대
“차별화 기술로 공정 성숙도 개선”
GAA, 기존보다 성능 23% 향상
채널 두께·면적 조절도 장점으로
2세대 공정 전력 50% 절감 기대
“차별화 기술로 공정 성숙도 개선”
정원철(왼쪽부터) 삼성전자 상무, 구자흠 부사장, 강상범 상무가 화성캠퍼스 3나노 양산 라인에서 3나노 웨이퍼를 보여주고 있다. 사진 제공=삼성전자
[서울경제]
삼성전자가 대만 TSMC, 미국 인텔 등 칩 파운드리(위탁 생산) 라이벌을 제치고 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 반도체 양산을 시작했다.
삼성전자 파운드리사업부는 이 공정을 활용해 고성능컴퓨팅(HPC)용 시스템반도체 생산을 시작했다고 30일 밝혔다. 3나노 공정으로 만든 차세대 게이트올어라운드(GAA) 기술을 구현한 반도체 회사도 삼성전자가 세계에서 처음이다.
서울경제
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