중앙일보_“세계 최고의 팹” 이재용, 두 정상 앞에서 영어로 삼성 평택캠퍼스 소개

기사일부내용

조 바이든 미국 대통령이 20일 경기 평택 삼성전자 반도체 공장에서 윤석열 대통령과 생산시설을 시찰하던 중 양손 엄지 손가락을 들어보이고 있다. [사진 대통령실사진기자단]

세계 최대 규모 반도체 생산기지인 삼성전자 평택사업장(평택캠퍼스)에서 한·미 정상의 첫 만남이 이뤄졌다. 이재용 삼성전자 부회장은 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령에게 직접 공장을 안내했다. 이어 양국 대통령의 공동 연설에 앞서 영어로 삼성전자를 소개하기도 했다. 두 정상은 방명록 대신 반도체 재료인 웨이퍼에 서명하면서 ‘반도체 동맹’ 의지를 분명히 했다.

바이든 대통령은 전용기인 에어포스원으로 20일 오후 경기도 오산공군기지에 도착한 뒤 곧바로 자동차를 이용해 삼성전자 평택캠퍼스로 이동했다. 오후 6시11분께 평택캠퍼스에 도착한 바이든 대통령을 미리 마중 나와 있던 윤석열 대통령이 맞았다. 두 정상은 3나노미터(㎚·1나노=10억 분의 1ｍ) 공정이 적용된 최첨단 반도체 웨이퍼에 서명했다. 웨이퍼는 반도체의 재료인 얇은 실리콘 판이다.

두 정상 방명록 대신 최첨단 웨이퍼에 서명

평택캠퍼스는 부지 면적이 축구장 400개를 합친 규모(289만㎡, 약 87만 평)로 1라인과 2라인이 가동 중이다. 단일 반도체 생산라인으로 세계 최대 규모인 3라인은 올 하반기부터 가동 예정이며 4·5·6라인 건설도 추진된다. 한 개 라인당 투자 규모는 약 30조원이다. 1라인에서는 메모리 반도체를, 2라인에서는 메모리와 파운드리 제품을 생산한다.

생산 규모는 세계 메모리 반도체의 약 15%에 이른다. 미국 대통령이 처음으로 찾은 한국 반도체 공장이다. 윤 대통령의 취임 후 첫 산업 현장 방문지이기도 하다.

이재용 삼성전자 부회장이 20일 경기 평택 삼성전자 반도체 공장에서 직원과 대화하고 있다. 이날 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 평택 공장을 찾았다. [사진 대통령실사진기자단 뉴스1]

삼성전자에서는 이 부회장과 한종희 디바이스경험(DX) 부문장(부회장), 경계현 반도체(DS) 부문장(사장), 노태문 모바일경험(MX) 부문장(사장), 마크 리퍼트 삼성전자 북미법인 부사장 등이 동행했다. 해외 출장이나 급한 업무가 있는 임원을 제외한 대부분의 삼성전자 임원이 총출동한 것으로 알려졌다. 이 부회장이 이번 행사에 얼마나 공을 들였는지 알 수 있는지 대목이다. 삼성전자 최고경영진은 지난 18일 직접 평택캠퍼스를 찾아 주요 동선과 발표 내용을 사전 점검하기도 했다.

삼성, GAA 기반 3나노 상반기 양산 계획

이날 두 정상은 2시간가량 평택캠퍼스에 머무는 내내 부회장의 안내를 받으며 1라인과 건설 중인 3라인 등을 둘러봤다. 바이든 대통령은 3라인을 둘러보며 “시설이 완공되면 1라인처럼 되느냐”며 물었고, 이 부회장은 “다음 주부터 이 공장의 불을 밝히겠다”고 답한 것으로 전해졌다.

이날 삼성전자가 최신 기술인 ‘게이트올어라운드(GAA)’를 적용한 3㎚ 공정을 선보이면서 바이든 대통령과 함께 방문한 반도체 설계 업체 퀄컴 관계자에게 기술력 우위를 알렸다는 해석도 나온다. 퀄컴은 삼성전자와 TSMC의 주요 고객이다. 삼성전자는 세계 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와 미세공정 기술 경쟁을 벌이고 있다. GAA 기반 3나노 반도체는 TSMC를 따라잡을 승부수 제품으로 꼽힌다.

GAA는 반도체 칩의 기본 소자인 트랜지스터를 더 작고 빠르면서 전력 소모가 더 적게 만드는 기술이다. 삼성전자는 GAA 기술을 활용해 올 상반기 3㎚ 반도체를 양산할 계획이다.

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